بهگفتهی مدیران سامسونگ، این شرکت موفق به نهاییسازی فرایند ساخت ۵ نانومتری EUV شده است.
سامسونگ بهعنوان یکی از شرکتهای پیشتاز در حوزهی نیمههادیها اعلام کرد که لیتوگرافی ۵ نانومتریFinFET را تکمیل کرده و اکنون آماده ارائه مدلهای نمونه به مشتریان است. فناوری پردازش ۵ نانومتری FinFET در مقایسه با انواع ۷ نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا ۲۵ درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا ۱۰ درصد کاهش پیدا میکند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینهسازی شده و میزان عملکرد پردازنده ۱۰ درصد ارتقا پیدا میکند و همین مسئله امکان طراحی استانداردهای نوآورانهتر در معماری سلولی (Cell Architecture) را نیز فراهم میکند.
علاوهبر بهینهسازی «عملکرد در حوزه انرژی»، مشتریان میتوانند از مزایای متعدد لیتوگرافی پیچیدهی ۵ نانومتری EUV سامسونگ بهرهمند شوند. سری ۵ نانومتری نیز مانند انواع قبل پردازندههای این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش میدهد.
یکی دیگر از مزایای مهم فناوری ۵ نانومتری آن است که میتوانی از تمامی IPهای ۷ نانومتری برای ۵ نانومتری هم استفاده کرد و بهاین ترتیب روند انتقال مشتریان از لیتوگرافی ۷ نانومتری به ۵ نانومتری با هزینههایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحیشده همراه بود. درنهایت نیز روند تولید کوتاهتر محصولاتی با فناوری ۵ نانومتری به ارمغان خواهد آمد.
بخش فناوریهای پایه سامسونگ در همکاری با شرکتهای فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری ۵ نانومتری سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP میشود. این مجموعه از سهماههی آخر سال ۲۰۱۸ به تدریج به طرفین عرضه شدهاند. در عین حال بخش فناوریهای پایه سامسونگ ارائه خدمات Multi Project Wafer) MPW) را به مشتریان خود آغاز کرده است.
چارلی بی، معاون بخش فناوریهای پایه سامسونگ میگوید:
با تکمیل موفقیتآمیز توسعه ۵ نانومتری، توانستیم تواناییهایمان را در نودهای مبتنی بر EUV ثابت کنیم. ما در پاسخ به تقاضای مداوم مشتریان برای فناوریهای پیشرفته پردازشی با هدف متمایز کردن محصولات نسل آینده، تلاش داریم حجم تولید محصولات فناوریهای مبتنی بر EUV را افزایش دهیم.
در ماه اکتبر ۲۰۱۸ سامسونگ تولید اولیه پردازنده ۷ نانومتری و اولین نود پردازش با فناوری لیتوگرافی EUV را اعلام کرد. این شرکت نمونههای تجاری آن پردازنده را برای اولین محصولات مبتنی بر EUV بازار عرضه کرده و تولید انبوه پردازنده ۷ نانومتری را نیز اوایل امسال آغاز کرد. در عین حال سامسونگ در حال همکاری با مشتریان خود برای تولید پردازندهی ۶ نانومتری به شکل یک نود پردازش اختصاصی مبتنی بر EUV است و اکنون به نمونههای اولین چیپ ۶ نانومتری دست یافته است.
معاون بخش فناوریهای پایه سامسونگ در این خصوص افزود:
باتوجهبه مزایای متعدد مانند PPA و IP، انتظار میرود نودهای یپشرفته مبتنی بر EUV سامسونگ برای کاربردهای نوآورانه و جدید مانند ۵G، هوش مصنوعی (AI)، محاسبات حجم بالا (HPC) و اتوماسیون، با تقاضای بالایی مواجه شود. سامسونگ همزمان با ارتقای جایگاه خود بهعنوان پیشتاز لیتوگرافی EUV، پیشرفتهترین فناوریها و راهکارها را به مشتریان خود عرضه میکند.
فناوریهای پردازشی مبتنی بر EUV سامسونگ در حال حاضر در شهر هواسئونگ کره جنوبی تولید میشوند. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید EUV خود را با تأسیس یک خط جدید در همین شهر افزایش دهد و انتظار میرود این کار تا نیمه دوم ۲۰۱۹ تکمیل شود.
این مطالب صرفا از سایت zoomit کپی برداری شده است و جنبه اموزشی دارد
بررسی تخصصی موبایلخرید اینترنتی موبایلفروشگاه موبایل دیجیتال مارکمعرفی برترین گوشی های موبایلموبایل اپل
برای نوشتن دیدگاه باید وارد بشوید.